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NTMFS4935N
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
SWITCHING CHARACTERISTICS (Note 6)
Turn ? On Delay Time
t d(ON)
11.2
Rise Time
Turn ? Off Delay Time
Fall Time
t r
t d(OFF)
t f
V GS = 10 V, V DS = 15 V,
I D = 15 A, R G = 3.0 W
18.7
28.3
12.1
ns
DRAIN ? SOURCE DIODE CHARACTERISTICS
Forward Diode Voltage
V SD
V GS = 0 V,
I S = 30 A
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
0.85
0.72
1.1
V
Reverse Recovery Time
t RR
44.4
Charge Time
Discharge Time
Reverse Recovery Charge
t a
t b
Q RR
V GS = 0 V, dIS/dt = 100 A/ m s,
I S = 30 A
21.6
22.8
45
ns
nC
PACKAGE PARASITIC VALUES
Source Inductance
L S
0.65
nH
Drain Inductance
Gate Inductance
L D
L G
T A = 25 ° C
0.005
1.84
nH
nH
Gate Resistance
R G
1.1
1.4
W
5. Pulse Test: pulse width v 300 m s, duty cycle v 2%.
6. Switching characteristics are independent of operating junction temperatures.
http://onsemi.com
3
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